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图3：消失MoS2/AsP范德华pn异质结和单边耗尽区的MoS2/AsP范德华pp异质结的对比（a）MoS2/AsP范德华pn异质结在红外光入射下的能带示意图，消失（b）MoS2/AsP范德华pn异质结的输出曲线，（c）MoS2/AsP范德华pn异质结在零偏压和红外光入射下的光开关响应，（d）单边耗尽区的MoS2/AsP范德华pp异质结在红外光入射下的能带示意图，（b）单边耗尽区的MoS2/AsP范德华pp异质结的输出曲线，（c）单边耗尽区的MoS2/AsP范德华pp异质结在零偏压和红外光入射下的光开关响应。在内建电场作用下，离阿里巴P区的光生电子穿过异质界面与p+的多子空穴复合，被AsP快速收集。

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